特許
J-GLOBAL ID：200903045390083644
プラズマCVD装置およびそのクリーニング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-033877
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232298
出願日： 1996年02月21日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】プラズマCVD装置のシャワーヘッドを冷却又は加熱することにより、シャワーヘッドのダメージを防ぎ、成長速度の変動や膜厚均一性の悪化を防止する。【解決手段】処理室のシャワーヘッド1の温度コントロールを行うプロセスガスを使用し、そのプラズマクリーニング時に、温度コントロール室6により温度制御されたプロセスガス(クリーニングガス)をチャンバ内に導入することにより、シャワーヘッド1を直接的に冷却し、シャワーヘッド1の表面とカバー5との温度差が大きくなっても、クリーニング時間とともに上昇するシャワーヘッド1の表面温度を抑えることが可能となる。
請求項（抜粋）：
処理室内に、成膜試料をのせる下部電極と、この下部電極に対向して成膜ガスおよびクリーニングガスを供給するシャワーヘッドをもつと共に高周波電力を導入する上部電極とを有するプラズマCVD装置において、前記処理室のクリーニング時に前記クリーニングガスを冷却または加熱して前記シャワーヘッドに直接導入する温度制御手段を備えることを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (5件)：
H01L 21/31
, C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/304 341
, H01L 21/316
H01L 21/31 C
, C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/304 341 Z
, H01L 21/316 X
