特許
J-GLOBAL ID：200903045394486000

窒化物系III-V族化合物半導体装置の製造方法および窒化物系III-V族化合物半導体装置

発明者：
寺口 信明

寺口 信明 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 青山 葆 ,  河宮 治 ,  山崎 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-018446
公開番号（公開出願番号）：特開2004-235193
出願日： 2003年01月28日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：
【課題】Si電子デバイスとのカップリングの相性が良くて、結晶性も良好な窒化物系III-V族化合物半導体装置および窒化物系III-V族化合物半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】第1バッファ層成長工程によって、Si基板31の(100)面上にアモルファスのAlNからなる第1バッファ層32を成長させた後、第2バッファ層成長工程で、第1バッファ層32の上に単結晶のAlNからなる第2バッファ層33を成長させる。最後に、ヘテロ構造作製工程で、上記第2バッファ層33上にヘテロ構造を構成するGaN層34とAlGaN層35を順次成長させる。このとき、第2バッファ層33の結晶構造が、結晶性に優れたシングドメイン構造になって、第2バッファ層33に形成されるヘテロ構造の電気的特性が優れたものになる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
Si基板上にアモルファスの窒化物系III-V族化合物半導体からなる第1バッファ層を成長させる第1バッファ層成長工程と、 上記第1バッファ層上に単結晶の窒化物系III-V族化合物半導体からなる第2バッファ層を成長させる第2バッファ層成長工程とを有することを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812
FI (2件)：
H01L21/205 ,  H01L29/80 H
Fターム (18件)：
5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045CA06 ,  5F045DA53 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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