特許

J-GLOBAL ID：200903088351847042

窒化物系化合物半導体及びその製造方法

発明者： 寺口 信明
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-076890
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277434
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】 低キャリア濃度で高電子移動度を有する窒化物系化合物半導体及びその製造方法を提供する。【解決手段】 窒化物系化合物半導体を、Ga、Al、P、As、Sb、Si及びランタノイドのうちの少なくとも1つを所定の濃度でドーピングして結晶成長させたInN層13、23、33、43又は53を有する構成とする。

請求項（抜粋）：

Ga、Al、P、As、Sb、Si及びランタノイドのうちの少なくとも1つを所定の濃度でドーピングして結晶成長させたInN層を有する窒化物系化合物半導体。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/203

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/203 M

Fターム (18件)：

5F045AA05 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045DA53 ,  5F045DA66 ,  5F103AA04 ,  5F103DD01 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103KK10 ,  5F103NN01 ,  5F103PP11 ,  5F103RR05

引用特許：

審査官引用 (4件)

• p形III族窒化物半導体層及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-155313   出願人：昭和電工株式会社
• 特開昭63-184324
  
• 3族窒化物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-076512   出願人：豊田合成株式会社
• 発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-073938   出願人：昭和電工株式会社