特許

J-GLOBAL ID：200903045440913368

誘電体薄膜素子の製造方法

発明者： 横山 誠一
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-159756
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354505
出願日： 1998年06月08日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】 微細加工精度が向上された誘電体薄膜素子の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の誘電体薄膜素子の製造方法は、基板10上に、下部電極層24を含む多層薄膜20を形成する工程と、該多層薄膜20の上に、被酸化性を有する、金属元素を含む第1の窒化物層40のパターンを形成する工程と、該第1の窒化物層40のパターンをマスクとして、酸化性ガスを含む混合ガスを用いて、該多層薄膜20を選択的にエッチングすることによって、該下部電極層20を所望の形状にパターニングする工程と、該第1の窒化物層40のパターンを除去する工程と、を包含する。

請求項（抜粋）：

基板上に、下部電極層を含む多層薄膜を形成する工程と、該多層薄膜の上に、被酸化性を有する、金属元素を含む第1の窒化物層のパターンを形成する工程と、該第1の窒化物層のパターンをマスクとして、酸化性ガスを含む混合ガスを用いて、該多層薄膜を選択的にエッチングすることによって、該下部電極層を所望の形状にパターニングする工程と、該第1の窒化物層のパターンを除去する工程と、を包含する誘電体薄膜素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01G 4/33 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/31 ,  H01G 4/06 102

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 白金食刻方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-195370   出願人：エルジーセミコンカンパニーリミテッド
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-002835   出願人：松下電子工業株式会社
• 高融点金属のエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-106327   出願人：ソニー株式会社