特許
J-GLOBAL ID:200903045441829042
有機半導体材料の精製方法、該精製方法を用いて得られた有機半導体材料及びそれを用いた半導体素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
坂口 信昭
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-151748
公開番号(公開出願番号):特開2003-347624
出願日: 2002年05月27日
公開日(公表日): 2003年12月05日
要約:
【要約】【課題】大量生産性に適し且つ高純度のものを提供できる有機半導体材料の精製方法、該精製方法を用いて得られた有機半導体材料及びそれを用いた半導体素子を明らかにする。【解決手段】(1)超臨界状態の溶媒を用いて不純物を除去すること、(2)有機半導体材料が、π共役系高分子化合物であること、又は(3)有機半導体材料が、チオフェン、ビニレン、チェニレンビニレン、フェニレンビニレン、p-フェニレン、これらの置換体またはこれらの2種以上を繰返し単位とし、かつ該繰返し単位の数nが4〜10であるオリゴマーもしくは該繰返し単位の数nが20以上であるポリマー、ペンタセンなどの縮合多環芳香族化合物、フラーレン類から選ばれること、を特徴とする有機半導体材料の精製方法である。
請求項(抜粋):
超臨界状態の溶媒を用いて不純物を除去することを特徴とする有機半導体材料の精製方法。
IPC (6件):
H01L 51/00
, B01D 11/00
, C08G 85/00
, H01L 21/336
, H01L 29/786
, C07B 63/00
FI (8件):
B01D 11/00
, C08G 85/00
, C07B 63/00 D
, H01L 29/28
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 618 A
, H01L 29/78 617 T
, H01L 29/78 617 V
Fターム (60件):
4D056AB06
, 4D056AB07
, 4D056AB08
, 4D056AB20
, 4D056AC24
, 4D056BA16
, 4D056CA34
, 4D056CA39
, 4H006AA02
, 4H006AD15
, 4H006BB11
, 4H006BB14
, 4H006BB30
, 4H006BB31
, 4H006BE14
, 4H006BE40
, 4H006BE41
, 4J031CC05
, 5F110AA16
, 5F110CC03
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE07
, 5F110EE41
, 5F110EE42
, 5F110EE43
, 5F110EE44
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF21
, 5F110FF27
, 5F110FF30
, 5F110GG05
, 5F110GG06
, 5F110GG24
, 5F110GG41
, 5F110GG42
, 5F110GG43
, 5F110GG44
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK07
, 5F110HK21
, 5F110HK31
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F110QQ06
引用特許:
審査官引用 (9件)
-
フラーレン類の精製方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-281842
出願人:出光興産株式会社
-
特開昭59-017157
-
電子写真感光体
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-272062
出願人:株式会社リコー
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