特許
J-GLOBAL ID:200903045539123512

半導体ウェーハ移し替え装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 佐々木 功 ,  川村 恭子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-234627
公開番号(公開出願番号):特開2004-079613
出願日: 2002年08月12日
公開日(公表日): 2004年03月11日
要約:
【課題】薄く形成され基板に固定された半導体ウェーハを、効率良くダイシングテープに貼着して移し替えることにより、生産性を向上させる。【解決手段】半導体ウェーハと基板103との間に介在している粘着層に外的刺激を与える外的刺激付与手段30と、半導体ウェーハから基板103を取り外す基板取り外し手段25とを少なくとも備え、外的刺激を受けて粘着力が低下する粘着層を介して半導体ウェーハに固定された基板103を、外的刺激付与手段30において外的刺激を与えて粘着力を低下させた後に、基板取り外し手段25によって半導体ウェーハから取り外し、ダイシングフレーム101に移し替えて固定する半導体ウェーハ移し替え装置10を提供する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
外的刺激を受けて粘着力が低下する粘着層を介して基板に固定された半導体ウェーハをダイシングフレームに移し替えて固定する半導体ウェーハ移し替え装置であって、 半導体ウェーハと基板との間に介在している粘着層に外的刺激を与える外的刺激付与手段と、 該半導体ウェーハから該基板を取り外す基板取り外し手段と を少なくとも備えた半導体ウェーハ移し替え装置。
IPC (5件):
H01L21/301 ,  C09J5/00 ,  C09J7/00 ,  C09J201/00 ,  H01L21/68
FI (5件):
H01L21/78 M ,  C09J5/00 ,  C09J7/00 ,  C09J201/00 ,  H01L21/68 N
Fターム (32件):
4J004AB01 ,  4J004AB05 ,  4J004AB06 ,  4J004AB07 ,  4J004FA05 ,  4J004FA08 ,  4J040JA09 ,  4J040JB09 ,  4J040MA02 ,  4J040MA04 ,  4J040MA05 ,  4J040MA10 ,  4J040NA20 ,  4J040PA23 ,  5F031CA02 ,  5F031DA13 ,  5F031DA15 ,  5F031FA01 ,  5F031FA07 ,  5F031FA11 ,  5F031FA12 ,  5F031GA24 ,  5F031GA43 ,  5F031GA47 ,  5F031GA49 ,  5F031HA78 ,  5F031KA02 ,  5F031KA11 ,  5F031LA15 ,  5F031MA34 ,  5F031MA37 ,  5F031MA39
引用特許:
審査官引用 (4件)
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