特許
J-GLOBAL ID：200903045558634811
電力用半導体スイッチング回路
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-008413
公開番号（公開出願番号）：特開2008-178200
出願日： 2007年01月17日
公開日（公表日）： 2008年07月31日
要約：
【課題】パワー半導体スイッチング素子の発熱とスイッチングサージとをバランス良く低減した電力用半導体スイッチング回路を提供すること。【解決手段】パワー半導体スイッチング素子の温度を検出し(S102)、この温度が上昇したら(S104)、パワー半導体スイッチング素子を駆動するドライブ回路へ印加する電源電圧を増大させ(S110)、パワー半導体スイッチング素子の抵抗損失を低減する。この温度が低下したらパワー半導体スイッチング素子を駆動するドライブ回路へ印加する電源電圧を低下させ(S106)、パワー半導体スイッチング素子のスイッチングサージ電圧を低減する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
負荷電流をスイッチングするパワー半導体スイッチング素子と、
入力パルス信号電圧を少なくとも電流増幅して形成した制御電圧を前記パワー半導体スイッチング素子の制御電極に印加するドライブ回路と、
を備える電力用半導体スイッチング回路において、
安定化電源電圧を作成して前記ドライブ回路に印加する電源電圧安定化回路と、
前記パワー半導体スイッチング素子の温度に相関を有する温度信号を検出する温度検出回路と、
検出された温度信号に基づいて前記安定化電源電圧を変更する制御回路と、
を有し、
前記制御回路は、
前記温度が高くなった場合に前記電源電圧安定化回路に指令して前記安定化電源電圧を増大させることにより前記ドライブ回路が前記パワー半導体スイッチング素子に出力する前記制御電圧のハイレベルを増大させ、前記温度が低くなった場合に前記電源電圧安定化回路に指令して前記安定化電源電圧を減少させることにより前記ドライブ回路が前記パワー半導体スイッチング素子に出力する前記制御電圧のハイレベルを低下させることを特徴とする電力用半導体スイッチング回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H02M7/5387 Z
, H02M1/08 C
5H007AA01
, 5H007AA03
, 5H007BB06
, 5H007CA01
, 5H007CB02
, 5H007CB05
, 5H007CC07
, 5H007CC23
, 5H007DB03
, 5H007DC05
, 5H007DC08
, 5H007EA02
, 5H740AA04
, 5H740BB05
, 5H740BB09
, 5H740BB10
, 5H740BC01
, 5H740BC02
, 5H740KK01
, 5H740MM01
, 5H740MM08
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (6件)
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