低誘電率非晶質シリカ系被膜の形成方法および該方法より得られる低誘電率非晶質シリカ系被膜

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：石田政久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-318418
公開番号（公開出願番号）：特開2004-153147
出願日： 2002年10月31日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：

【課題】この低誘電率非晶質シリカ系被膜は、比誘電率が2.5以下と小さく、ヤング弾性率が6.0 GPa以上、しかも疎水性に優れる。【解決手段】(a)テトラアルキルオルソシリケート(TAOS)および特定のアルコキシシラン(AS)をテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド(TAAOH)の存在下で加水分解して得られるケイ素化合物を含む液状組成物を調製する工程と、(b)該液状組成物を基板上に塗布する工程と、(c)該基板を80〜350°Cの温度で加熱処理する工程と、(d)該基板を350〜450°Cの温度で焼成処理する工程とを含む。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

高い膜強度を有し、疎水性に優れた平滑な低誘電率非晶質シリカ系被膜を基板上に形成する方法であって、 (a)テトラアルキルオルソシリケート(TAOS)および下記一般式(I)で示されるアルコキシシラン(AS)をテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド(TAAOH)の存在下で加水分解して得られるケイ素化合物を含む液状組成物を調製する工程、 XnSi(OR)4-n (I) (式中、Xは水素原子、フッ素原子、または炭素数1〜8のアルキル基、フッ素置換アルキル基、アリール基もしくはビニル基を表し、Rは水素原子、または炭素数1〜8のアルキル基、アリール基もしくはビニル基を表す。また、nは0〜3の整数である。) (b)該液状組成物を基板上に塗布する工程、 (c)該基板を80〜350°Cの温度で加熱処理する工程、および (d)該基板を350〜450°Cの温度で焼成処理する工程を含むことを特徴とする低誘電率非晶質シリカ系被膜の形成方法。

IPC (1件)：

H01L21/316

FI (1件)：

H01L21/316 G

Fターム (9件)：

5F058AC03 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02 , 5F058BC02 , 5F058BF46 , 5F058BH03 , 5F058BH04 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (4件)

有機ケイ素系重合体の製造方法、膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-363515 出願人：ジェイエスアール株式会社
低誘電率膜及びこの低誘電率膜を有する半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-123505 出願人：日立化成工業株式会社
膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-257537 出願人：ジェイエスアール株式会社

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