半導体記憶装置及び半導体集積回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：吉武賢次 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康 , 関根毅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-188539
公開番号（公開出願番号）：特開2005-026366
出願日： 2003年06月30日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：

【課題】ソースの寄生抵抗が小さく、寄生バイポーラ素子による”1”ディスターブの影響を受けない縦型トランジスタを提供する。【解決手段】本発明に係る半導体記憶装置は、SOI基板1上に縦型トランジスタからなるFBC2をマトリクス状に配置したものであり、SOI基板1の埋め込み酸化膜3とFBC2との間に金属層4を形成する。FBC2と埋め込み酸化膜3との間に金属層4を形成するため、ソースの寄生抵抗を小さくでき、寄生バイポーラ素子による”1”ディスターブの影響を受けなくなり、特性のよいFBC2が得られる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板内に形成される埋め込み絶縁膜と、前記埋め込み絶縁膜の上面に形成される第1金属層と、前記第1金属層の上方で、基板に垂直な方向に形成されるチャネルボディと、該チャネルボディを基板に水平な方向の両側から挟み込むように、あるいは周囲を囲むように形成されるゲートと、を有する縦型トランジスタと、を備えることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (2件)：

H01L21/8242 , H01L27/108

FI (1件)：

H01L27/10 321

Fターム (6件)：

5F083AD03 , 5F083AD69 , 5F083GA09 , 5F083GA15 , 5F083HA02 , 5F083NA01

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体記憶装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-193278 出願人：株式会社東芝
特開平3-196567
特開平3-196567

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