特許

J-GLOBAL ID：200903045625145731

半導体装置、半導体装置の製造方法、回路基板、電気光学装置、電子機器

発明者： 田中 秀一
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-313839
公開番号（公開出願番号）：特開2006-128364
出願日： 2004年10月28日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：

【課題】 バンプ接続の信頼性を高めた半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明の半導体装置は、能動面121a上に、電極パッド24と、該電極パッド24に導電接続されたバンプ電極10とを備えている。バンプ電極10は、能動面121aに形成された樹脂突起12と、電極パッド24から樹脂突起12の表面にかけて配設された導電膜20とを備えており、この導電膜20と樹脂突起12とは非密着に配置されている。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

能動面上に、電極パッドと、該電極パッドに導電接続されたバンプ電極とを有する半導体装置であって、 前記バンプ電極が、前記能動面に形成された樹脂突起と、前記電極パッドから前記樹脂突起の表面にかけて配設された導電膜とを有してなり、前記導電膜と前記樹脂突起とが非密着に配置されていることを特徴とする、半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 21/60

FI (4件)：

H01L21/92 602E ,  H01L21/92 603A ,  H01L21/92 604B ,  H01L21/92 604C

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平1-13734号公報
  

審査官引用 (3件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-128176   出願人：沖電気工業株式会社
• 突起電極およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-132747   出願人：シチズン時計株式会社
• 外部接続突起およびその形成方法、半導体チップ、回路基板ならびに電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-287276   出願人：セイコーエプソン株式会社