外部接続突起およびその形成方法、半導体チップ、回路基板ならびに電子機器

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-287276
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110831
出願日： 1999年10月07日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】アスペクト比が高く、かつ材料となる金属の使用量の低減化を図ることが可能な外部接続突起およびその形成方法、ならびにそれを用いた半導体チップ、回路基板ならびに電子機器を提供すること。【解決手段】外部接続突起10において、樹脂製の突出体22を電極パッド20に隣接して設け、金属製の導電体24を電極パッド14上と突出体22上とに跨った状態に形成する。このように構成することにより、アスペクト比の高い外部接続突起を形成することが容易にできる。

請求項（抜粋）：

半導体チップの能動素子形成面に形成されてなる外部接続突起において、半導体チップの電極の近傍に形成してなる突出体と、前記電極上と前記突出体上とに連続的に形成してなる導電体と、を少なくとも有することを特徴とする外部接続突起。

引用特許：

審査官引用 (6件)

高密度バンプ形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-326886 出願人：田中貴金属工業株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-310454 出願人：凸版印刷株式会社
特開平2-272737

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