特許
J-GLOBAL ID：200903045640815603

電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者：
河野 純子

河野 純子 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-220082
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058560
出願日： 1998年08月04日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 ばらつくことなく高い信頼性を確保して高出力電流を保ちつつ、ゲート-ドレイン耐圧を向上させることができる電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 ゲート-ドレイン電極間の素子表面を部分的に酸化して表面酸化層20を設けた。チャネル層13の上に、ソース電極14、ドレイン電極15及びゲート電極16を形成した後、ゲート-ドレイン電極間の下の空乏層のみを広げる空乏層拡大処理を行う。
請求項（抜粋）：
ゲート-ドレイン電極間の素子表面を部分的に酸化して表面酸化層を設けたことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/318
FI (2件)：
H01L 29/80 Q ,  H01L 21/318 M
Fターム (15件)：
5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BF02 ,  5F058BH12 ,  5F058BH13 ,  5F058BJ04 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GR04 ,  5F102GR13 ,  5F102GS09 ,  5F102GV05 ,  5F102HC15
引用特許：
審査官引用 (5件)
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