特許
J-GLOBAL ID：200903045650803298
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 幸男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-084017
公開番号（公開出願番号）：特開平7-271645
出願日： 1994年03月30日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】【構成】 メモリ部106は、フラッシュメモリで構成されている。ディレクトリ格納部109は、メモリ部106に格納されたデータのアドレスの情報を格納する。サブディレクトリ格納部111は、メモリ部とは異なる上書き可能な不揮発性メモリで構成され、サブディレクトリへのデータ書き込み要求があった場合は、そのサブディレクトリの情報を格納する。プロセッサ部104は、ホストからサブディレクトリへのデータ書き込み要求を受けた場合、その情報はメモリ部106には書き込まず、サブディレクトリ格納部111に格納する。【効果】 メモリ部上のサブディレクトリへのライトアクセスが不要となり、この場合の性能が向上する。
請求項（抜粋）：
フラッシュメモリで構成されたメモリ部と、前記メモリ部に格納されたデータの位置情報を格納するディレクトリ格納部と、上書き可能な不揮発性メモリで構成され、前記ディレクトリ格納部によってその位置が示されるサブディレクトリへのデータ書き込み要求を受けた場合、当該サブディレクトリの情報を格納するためのサブディレクトリ格納部とを備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G06F 12/00 520
, G11C 16/06
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (9件)
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