特許

J-GLOBAL ID：200903045671791729

膜の製造方法及びこれにより得られる膜

発明者： 森井 克行
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 稲葉 良幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-047764
公開番号（公開出願番号）：特開2001-234356
出願日： 2000年02月24日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】 導電性に優れた導電膜を安価に製造する方法を提供すること。【解決手段】 本発明の膜の製造方法は、基材上にコロイド層を形成し、該コロイド層の表面に、該基材より該コロイド層で大きな吸収強度となるエネルギー線を照射することを特徴とする。特に、前記コロイド層が金属コロイド層であり、前記膜として導電膜を好適に得る。また、本発明の膜は、上記製造方法により得られることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基材上にコロイド層を形成し、該コロイド層の表面に、該基材より該コロイド層で大きな吸収強度となるエネルギー線を照射することを特徴とする膜の製造方法。

IPC (5件)：

C23C 26/00 ,  B05D 7/24 301 ,  B05D 7/24 303 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503

FI (5件)：

C23C 26/00 E ,  B05D 7/24 301 H ,  B05D 7/24 303 B ,  H01B 5/14 Z ,  H01B 13/00 503 Z

Fターム (24件)：

4D075AC64 ,  4D075BB37Z ,  4D075DA06 ,  4D075DC21 ,  4D075EA12 ,  4K044AA12 ,  4K044AA16 ,  4K044AB02 ,  4K044BA08 ,  4K044BB01 ,  4K044BC14 ,  4K044CA41 ,  4K044CA53 ,  5G307FA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB02 ,  5G307FC10 ,  5G307GA06 ,  5G307GC02 ,  5G323BA05 ,  5G323BB01 ,  5G323BB02 ,  5G323BB06 ,  5G323BC03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 非導電性プラスチックからなるパターン化されたプラスチック型中の組み込まれた電極の製法、組み込まれた電極を有する非導電性プラスチックからなるパターン化されたプラスチック型、組み込まれた電極を有する非導電性プラスチックからなるパターン化されたプラスチック型を含む分析系及び構造体の製造のための材料の析出方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-264543   出願人：マイクロパーツゲゼルシャフトフュアミクロストルクトゥーアテヒニクミットベシュレンクテルハフツング
• 導体組成物。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-230373   出願人：田中貴金属工業株式会社
• 金属粉末によって表面を金属化する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-080561   出願人：ルシアン,ディエゴ,ロード
• 特開昭62-133076