特許
J-GLOBAL ID:200903045683601496
珪素含有高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小島 隆司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-047351
公開番号(公開出願番号):特開2002-348332
出願日: 2002年02月25日
公開日(公表日): 2002年12月04日
要約:
【要約】【解決手段】 式(1)及び/又は式(2)で表される繰り返し単位を含む珪素含有高分子化合物。【化1】(R1、R2、R3は水素原子、又はアルキル基、R4、R5、R6はアルキル基、ハロアルキル基、又は珪素含有基、R7は酸素原子、アルキレン基、又はアリーレン基である。R8〜R10はアルキル基、フッ素化されたアルキル基、又はアリール基である。nは2〜10の整数である。)【効果】 本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、300nm以下の波長における感度、解像性、酸素プラズマエッチング耐性に優れている。
請求項(抜粋):
一般式(1)及び/又は一般式(2)で表される繰り返し単位を含むことを特徴とする珪素含有高分子化合物。【化1】(式中、R1、R2、R3は水素原子、又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、R4、R5、R6は同一又は異種の炭素数1〜20のアルキル基、ハロアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、又は式中の珪素原子とシロキサン結合もしくはシルアルキレンで結合している珪素含有基である。)【化2】(式中、R7は酸素原子、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、又はアリーレン基である。R8〜R10は同一又は異種の炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、フッ素化されたアルキル基、又はアリール基である。nは2〜10の整数である。R1〜R3は上記の通りである。)
IPC (6件):
C08F230/08
, C08F220/20
, C08F222/00
, C08F228/06
, G03F 7/039 601
, H01L 21/027
FI (7件):
C08F230/08
, C08F220/20
, C08F222/00
, C08F228/06
, G03F 7/039 601
, H01L 21/30 502 R
, H01L 21/30 573
Fターム (38件):
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AA10
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB08
, 2H025CB10
, 2H025CB34
, 2H025CB41
, 2H025CC20
, 2H025FA17
, 4J100AC01R
, 4J100AC26R
, 4J100AJ08R
, 4J100AK32Q
, 4J100AL08S
, 4J100AM43P
, 4J100AN02R
, 4J100AP16P
, 4J100AR31Q
, 4J100BA40R
, 4J100BA72P
, 4J100BA75P
, 4J100BA81P
, 4J100BC08S
, 4J100BC09S
, 4J100CA05
, 4J100CA06
, 4J100JA38
, 5F046NA01
, 5F046NA17
, 5F046NA18
引用特許:
審査官引用 (5件)
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特開平2-238041
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特開平1-110513
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薄膜形成ポリマ-
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-117012
出願人:シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
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ポジ型レジスト積層物
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-164833
出願人:富士写真フイルム株式会社
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ポジ型レジスト積層物
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-178538
出願人:富士写真フイルム株式会社
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