ポジ型レジスト積層物

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小栗昌平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-178538
公開番号（公開出願番号）：特開2001-356484
出願日： 2000年06月14日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：

【要約】【課題】遠紫外領域の露光に対応して高い解像力を有し、しかも0.2μm以下の微細なライン/スペースにおいて、ラインうねりの少ないレジストパターンを与え、現像欠陥の発生量が少なく、高い製造適性を有するポジ型レジスト積層物を提供すること。【解決手段】脂環式骨格を側鎖に有する特定のポリマーを含有する熱硬化性の第1レジスト層と、側鎖にシリコン原子を有し水不溶性で酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となるポリマーと、光酸発生剤とを含有する第2レジスト層からなるポジ型レジスト積層物が提供される。

請求項（抜粋）：

基板上に第1レジスト層を有し、この上に第2レジスト層を有するポジ型レジスト積層物において、(I)第1レジスト層が、(a-1)下記一般式(1)で表される繰返し単位と下記一般式(2)で表される繰返し単位とを含むポリマーを含有し、且つ熱により硬化する層であり、(II)第2レジスト層が、(b)側鎖にシリコン原子を有し、かつ水不溶性で酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となるポリマーと、(c)活性光線もしくは放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有している、ことを特徴とするポジ型レジスト積層物。【化1】式中:Y1は、水素原子、アルキル基、シアノ基、ハロゲン原子を表す。L1は、置換基を有していてもよい2価の連結基を表す。Jは、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基を表す。a1は、0又は1を表す。Y2は、Y1と同義である。L2は、L1と同義である。Kは、置換基を有していてもよいアリール基を表す。a2及びa3は、それぞれ独立に、0又は1を表す。

IPC (9件)：

G03F 7/075 511 , C08F220/00 , C08F222/10 , C08F230/08 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 504 , G03F 7/039 601 , G03F 7/095 , H01L 21/027

FI (9件)：

G03F 7/075 511 , C08F220/00 , C08F222/10 , C08F230/08 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 504 , G03F 7/039 601 , G03F 7/095 , H01L 21/30 502 R

Fターム (103件)：

2H025AA02 , 2H025AA04 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC07 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BF02 , 2H025BF30 , 2H025BG00 , 2H025CB10 , 2H025CB43 , 2H025CC04 , 2H025CC17 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 4J100AB07Q , 4J100AB07R , 4J100AE02P , 4J100AE09P , 4J100AE13P , 4J100AE21S , 4J100AG02P , 4J100AG08P , 4J100AG10P , 4J100AG12P , 4J100AG15P , 4J100AJ01P , 4J100AJ02P , 4J100AJ02Q , 4J100AJ02R , 4J100AJ08P , 4J100AJ09P , 4J100AJ10P , 4J100AK32P , 4J100AK32Q , 4J100AL03P , 4J100AL03R , 4J100AL03S , 4J100AL04P , 4J100AL08P , 4J100AL08R , 4J100AL09P , 4J100AL09R , 4J100AL24P , 4J100AL34Q , 4J100AL34R , 4J100AL36P , 4J100AL36Q , 4J100AL44P , 4J100AM01P , 4J100AM02P , 4J100AM02Q , 4J100AM02R , 4J100AM02S , 4J100AM15P , 4J100AM17P , 4J100AM19P , 4J100AM21P , 4J100AM37P , 4J100AM43P , 4J100AM47P , 4J100AP16P , 4J100BA02P , 4J100BA03Q , 4J100BA03R , 4J100BA04P , 4J100BA05P , 4J100BA06P , 4J100BA08P , 4J100BA11P , 4J100BA11R , 4J100BA15P , 4J100BA16P , 4J100BA20P , 4J100BA29P , 4J100BA34P , 4J100BA40P , 4J100BA51P , 4J100BA53P , 4J100BA58P , 4J100BA77P , 4J100BA81P , 4J100BA85P , 4J100BB01P , 4J100BC04P , 4J100BC07P , 4J100BC08P , 4J100BC09P , 4J100BC12P , 4J100BC43P , 4J100BC48P , 4J100BC53P , 4J100BC53R , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100CA06 , 4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (6件)

193NMリソグラフィーのためのヒドロキシ-アミノ熱硬化下塗り
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-604269 出願人：アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド
下層膜用組成物およびこれを用いたパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-186575 出願人：株式会社東芝
二層技術のためのボトムレジスト
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-124499 出願人：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト

全件表示

審査官引用 (7件)

193NMリソグラフィーのためのヒドロキシ-アミノ熱硬化下塗り
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-604269 出願人：アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド
レジスト積層物
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-028235 出願人：富士写真フイルム株式会社
レジスト材料およびパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-331746 出願人：富士通株式会社

全件表示

前のページに戻る