特許
J-GLOBAL ID：200903045694555240

炭化珪素結晶の成長方法及び炭化珪素結晶の成長装置

発明者：
竹内 有一

竹内 有一 について

, 
内藤 正美

内藤 正美 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-088164
公開番号（公開出願番号）：特開2004-292255
出願日： 2003年03月27日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：
【課題】従来よりも容易に良好な面内膜厚分布を有する炭化珪素結晶を得ることができる結晶成長装置及び結晶成長方法を提供する。【解決手段】▲1▼成長炉内の全体圧力に対するSiを含むガスの分圧を、単位ガス流速あたりの炭化珪素結晶の成長レートが、Siを含むガスの分圧を高くしたときに変化しない若しくは低下する大きさとする。▲2▼ガス導入管3が二重構造であるCVD装置を用い、外側のガス導入管3aに原料ガスをキャリアガスと共に流し、中心側のガス導入管3bにキャリアガスのみ流すことで、基板7の表面に向けて原料ガスを供給する(図3)。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
成長炉(1)の内部に基板(7)を固定し、該基板(7)表面に向けてSiを含むガスを供給することで結晶成長させる炭化珪素結晶の成長方法において、 前記成長炉内の全体圧力に対する前記Siを含むガスの分圧を、単位ガス流速あたりの炭化珪素結晶の成長レートが、前記Siを含むガスの分圧を高くしたときに変化しない若しくは低下する大きさとすることを特徴とする炭化珪素結晶の成長方法。
IPC (3件)：
C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  H01L21/205
FI (3件)：
C30B29/36 A ,  C23C16/42 ,  H01L21/205
Fターム (35件)：
4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB04 ,  4G077DB12 ,  4G077DB18 ,  4G077EA02 ,  4G077EA05 ,  4G077EA08 ,  4G077TH05 ,  4G077TH07 ,  4G077TH11 ,  4K030AA06 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA12 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030EA08 ,  4K030FA10 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA12 ,  4K030KA04 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AD18 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045BB02 ,  5F045EF08 ,  5F045EF09
引用特許：
審査官引用 (3件)

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