特許

J-GLOBAL ID：200903045723974657

多結晶珪素作製装置およびその動作方法

発明者： 山崎 舜平 ,  大谷 久 ,  宮永 昭治
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-336058
公開番号（公開出願番号）：特開平9-156916
出願日： 1995年11月29日
公開日（公表日）： 1997年06月17日
要約：

【要約】【目的】 高品質な多結晶珪素膜を得る方法を提供する。【構成】 基板を予備室101、102から搬入する。そして、ロボットアーム109によって前記基板が処理室103〜107を移動する。この各処理室において、非晶質珪素膜の成膜や該非晶質珪素膜の結晶化が順次行われ、最終的には表面に多結晶珪素膜を有した基板が、一度も外気に暴露することなく得られる。特に、前記非晶質珪素膜を結晶化するに際し、結晶化を助長する金属元素を添加する処理室を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

非晶質珪素膜の成膜から前記非晶質珪素膜の結晶化までの工程を連続して一つの装置内で行う機能を有することを特徴とする多結晶珪素作製装置。

IPC (10件)：

C01B 33/02 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/48 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/56 ,  C30B 29/06 504 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (9件)：

C01B 33/02 E ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/48 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/56 ,  C30B 29/06 504 F ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置の作製方法及び半導体処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-301172   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-048535   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 多目的基板処理装置およびその動作方法および薄膜集積回路の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-347645   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-027100   出願人：株式会社東芝
• 特開平1-296645