特許
J-GLOBAL ID：200903045729971536
AlGaInP発光ダイオード
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-242473
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068731
出願日： 1999年08月30日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】AlGaInP系LEDを構成するIII-V族化合物半導体構成層に、良好な機械的接着性と良好な電気的接合性をもって、GaP結晶体を貼付する技術手段を明らかにする。【解決手段】LED構成層に金属酸化物層を介してGaP結晶体を接着させる。
請求項（抜粋）：
GaAs単結晶基板上に、n形のIII-V族化合物半導体構成層、(Al<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>)<SB>Y</SB>In<SB>1-Y</SB>P(0≦X≦1、0<Y≦1)発光層、p形のIII-V族化合物半導体構成層を積層後、GaAs単結晶基板を除去する工程を含むAlGaInP発光ダイオードにおいて、n形及びp形のIII-V族化合物半導体構成層に金属酸化物層を介して、III-V族化合物半導体構成層と同一の伝導形を有するGaP結晶層が貼付されていることを特徴とするAlGaInP発光ダイオード。
Fターム (12件)：
5F041AA03
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA37
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA73
, 5F041CA74
, 5F041CA77
, 5F041CA83
, 5F041CA85
, 5F041CA92
