特許
J-GLOBAL ID:200903045736707747

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 筒井 大和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-287544
公開番号(公開出願番号):特開2008-098654
出願日: 2007年11月05日
公開日(公表日): 2008年04月24日
要約:
【課題】複数の半導体チップが封入された半導体装置の放熱性の向上を図る。【解決手段】入力側板状リード部5上に制御用パワーMOSFETチップ2が配置され、このチップの裏面にはドレイン端子DT1が形成されており、一方、主面には、ソース端子ST1およびゲート端子GT1が形成され、このソース端子ST1とソース用板状リード部12とが接続されており、また、出力側板状リード部6上に同期用パワーMOSFETチップ3が配置されており、このチップの裏面にはドレイン端子DT2が形成され、このドレイン端子DT2に出力側板状リード部6が接続され、さらに、同期用パワーMOSFETチップ3の主面には、ソース端子ST2およびゲート端子GT2が形成されており、このソース端子ST2とソース用板状リード部13とが接続され、ソース用板状リード部12,13が露出していることにより、MCM1の放熱性を高めることができる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
それぞれの主面に端子が形成された複数の半導体チップと、 前記複数の半導体チップのうちの少なくとも2つの半導体チップの端子と電気的に接続する板状導体部材と、 前記複数の半導体チップを封止する封止体と、 前記複数の半導体チップそれぞれに電気的に接続する複数の外部接続端子とを有し、 前記板状導体部材によって接続された前記少なくとも2つの半導体チップがそれぞれにトランジスタ回路を有しており、前記板状導体部材が前記封止体から露出していることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件):
H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/36
FI (3件):
H01L25/04 C ,  H01L23/36 A ,  H01L23/36 Z
Fターム (8件):
5F136BA30 ,  5F136BB18 ,  5F136DA07 ,  5F136DA17 ,  5F136DA22 ,  5F136DA27 ,  5F136DA41 ,  5F136EA24
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2000-305228   出願人:株式会社デンソー
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-234016   出願人:株式会社デンソー
審査官引用 (1件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2004-020474   出願人:株式会社ルネサステクノロジ

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