特許
J-GLOBAL ID:200903045740339906
有機薄膜トランジスタ
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
久保山 隆
, 中山 亨
, 榎本 雅之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-151273
公開番号(公開出願番号):特開2007-324280
出願日: 2006年05月31日
公開日(公表日): 2007年12月13日
要約:
【課題】電流がオンするしきい値電圧の低い有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタであって、該有機半導体層が下記式(1)で表される繰り返し単位と下記式(2)で表される繰り返し単位とを有する高分子化合物を含有する有機薄膜トランジスタ。〔Ar1、Ar2、Ar3、Ar6およびAr7はアリーレン基または2価の複素環基を、Ar4、Ar5およびAr8はアリール基または1価の複素環基を表す。〕【選択図】なし
請求項(抜粋):
有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタであって、該有機半導体層が下記一般式(1)で表される繰り返し単位と下記一般式(2)で表される繰り返し単位とをそれぞれ少なくとも一種類有する高分子化合物を含有する有機薄膜トランジスタ。
IPC (5件):
H01L 51/30
, H01L 51/05
, H01L 51/40
, H01L 29/786
, C08G 61/12
FI (5件):
H01L29/28 250G
, H01L29/28 100A
, H01L29/28 310K
, H01L29/78 618B
, C08G61/12
Fターム (38件):
4J032BA03
, 4J032BA05
, 4J032BA07
, 4J032BA17
, 4J032BA25
, 4J032BB06
, 4J032BC03
, 4J032CA12
, 4J032CA61
, 4J032CB05
, 4J032CC01
, 4J032CC05
, 4J032CD02
, 4J032CG01
, 5F110AA30
, 5F110BB01
, 5F110CC03
, 5F110CC05
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110EE08
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF23
, 5F110FF36
, 5F110GG05
, 5F110GG28
, 5F110GG29
, 5F110GG42
, 5F110GG57
, 5F110HK02
, 5F110HK04
, 5F110HK21
, 5F110HK32
, 5F110NN01
, 5F110NN22
, 5F110NN27
引用特許:
引用文献:
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