特許

J-GLOBAL ID：200903045766379914

シリコンの精錬方法

発明者： 岡島 正樹 ,  岡澤 健介 ,  近藤 次郎
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (4件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-015431
公開番号（公開出願番号）：特開2006-199555
出願日： 2005年01月24日
公開日（公表日）： 2006年08月03日
要約：

【課題】 太陽電池製造用等に有用な高純度のシリコンを提供することを目的として、シリコンから不純物、特にホウ素を除去するための方法であり、従来法に比べ高い除去効率を得る方法を提供する。【解決手段】 溶融シリコンに、Na2CO3とSiO2との混合物からなる成型体を投入することを特徴とする方法により、上記課題を解決する。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

溶融シリコンに、Na2CO3とSiO2との混合物からなる成型体を投入することを特徴とするシリコンの精錬方法。

IPC (1件)：

C01B 33/037

FI (1件)：

C01B33/037

Fターム (11件)：

4G072AA01 ,  4G072BB01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ08 ,  4G072LL03 ,  4G072MM02 ,  4G072MM08 ,  4G072MM38 ,  4G072RR23 ,  4G072UU02

引用特許：

出願人引用 (3件)

• ケイ素の精製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-189174   出願人：エルケム・アクシエセルスカプ
• シリコンの精製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-193930   出願人：大同特殊鋼株式会社, 山内睦文, 棚橋満
• 金属シリコン中のボロン除去方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-011208   出願人：川崎製鉄株式会社