特許
J-GLOBAL ID：200903045796597282

単結晶製造方法及び単結晶製造装置

発明者：
北川 幸司

北川 幸司 について

, 
佐藤 亘

佐藤 亘 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-022453
公開番号（公開出願番号）：特開2001-213692
出願日： 2000年01月31日
公開日（公表日）： 2001年08月07日
要約：
【要約】【課題】 単結晶成長に用いるワイヤの伸びや組成変形等の剛性特性の変化を最小限に抑えることにより、引上速度の精度を向上し、高品質な単結晶を効率よく製造する方法を提供する。【解決手段】 ワイヤ式単結晶製造装置を用いたチョクラルスキー法による単結晶の製造方法であって、ワイヤを単結晶製造に初めて使用する際に、単結晶の引上げを始める前に前記ワイヤに引張荷重を加える単結晶製造方法。および、単結晶を引上げるためのワイヤと該ワイヤを巻き取るための上軸機構を備えたチョクラルスキー法による単結晶製造装置であって、少なくとも単結晶の引上げを行なう前に、前記ワイヤに引張荷重を加える機構を具備する単結晶製造装置。
請求項（抜粋）：
単結晶製造装置内に収納されたルツボに原料融液を満たし、該単結晶製造装置の上軸機構から巻き出されたワイヤの先端にある種ホルダに種結晶を取り付けて、前記原料融液に該種結晶を浸漬した後、静かにワイヤを巻き取ることによって単結晶を育成するワイヤ式単結晶製造装置を用いたチョクラルスキー法による単結晶の製造方法であって、前記ワイヤを単結晶製造に初めて使用する際に、単結晶の引上げを始める前に前記ワイヤに引張荷重を加えることを特徴とする単結晶製造方法。
IPC (2件)：
C30B 15/00 ,  C30B 29/06 502
FI (2件)：
C30B 15/00 Z ,  C30B 29/06 502 Z
Fターム (5件)：
4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EG12 ,  4G077PG01
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM