特許
J-GLOBAL ID：200903045803892988

半導体装置及びその駆動方法

発明者：
上田 路人

上田 路人 について

, 
大塚 隆

大塚 隆 について

, 
森田 清之

森田 清之 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-374583
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188350
出願日： 2002年06月14日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：
【要約】【課題】 多値メモリやニューロンコンピュータのニューロン素子として利用可能な、多値情報を保持できる半導体装置及びその駆動方法を提供する。【解決手段】 半導体装置は、制御電圧供給部110と、ゲート電極109とドレイン領域103aとソース領域103bとを有するMOSトランジスタと、ゲート電極109と制御電圧供給部110との間に互いに並列に介設された誘電体キャパシタ104及び抵抗素子106とを有する。この構成により、電圧を印加して誘電体キャパシタ104の中間電極とゲート電極109とに電荷を蓄積し、MOSトランジスタの閾値を変化させることができる。よって、入力された信号の履歴をMOSトランジスタのドレイン電流の変化として記憶することが可能になり、多値の情報を保持することができる。
請求項（抜粋）：
制御電圧供給部と、電荷を蓄積する機能を持つゲート電極を有する電界効果トランジスタと、上記制御電圧供給部と上記ゲート電極との間に互いに並列に介設された容量素子及び抵抗素子とを有し、多値の情報を保持可能な半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/10 451 ,  G11C 11/22 501 ,  H01L 27/105
FI (3件)：
H01L 27/10 451 ,  G11C 11/22 501 A ,  H01L 27/10 444 Z
Fターム (23件)：
5F083FR01 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083NA02 ,  5F083PR04 ,  5F083PR12 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA21
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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