静電誘導トランジスタ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-314314
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150912
出願日： 1998年11月05日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】シリコンカーバイド(SiC)を用いたプレーナ静電誘導トランジスタは、ドリフト層の濃度が高いため、オフするために大きなゲート電圧が必要となる。【解決手段】ゲートを表面p型領域と複数の縦型p型領域から形成し、空乏層が二次元的に広がる構造とした。【効果】オフ特性が優れたSiC静電誘導トランジスタを実現することが可能となる。

請求項（抜粋）：

一対の主表面を有し、低不純物濃度の第一導電型の基体と、前記基体の第一主表面に形成された第二導電型のゲート領域と、前記基体の主表面に形成された第一導電型のソース領域とドレイン領域と、前記基体の、第二主表面に形成された第二導電型の基板領域と、前記ゲート領域に接触するゲート電極と前記ソース電極に接触するソース電極と前記ドレイン電極に接触するドレイン電極からなる静電誘導トランジスタにおいて、ゲート領域と基板領域の間にゲート領域に接触した複数の第二導電型領域を設けたことを特徴とする静電誘導トランジスタ。

Fターム (7件)：

5F102FB01 , 5F102GB01 , 5F102GB04 , 5F102GD04 , 5F102GJ02 , 5F102GL02 , 5F102GR09

引用特許：

審査官引用 (10件)

接合型電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-218015 出願人：株式会社村田製作所
特開平1-175267
特開昭60-235477

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