割型誘電体フローティングゲートを利用する容易に収縮可能な新規な不揮発性半導体記憶装置セル及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：社本一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-520477
公開番号（公開出願番号）：特表2003-508921
出願日： 2000年08月25日
公開日（公表日）： 2003年03月04日
要約：

【要約】2ビットの情報を保存する不揮発性半導体記憶装置デバイス100を開示する。デバイスは、1つの導電率型式の半導体基板102と、反対の導電率型式の半導体基板に形成された右側拡散領域104及び左側拡散領域106とを備える。左側及び右側拡散領域の間にチャネル領域108が形成される。薄いゲート酸化物膜110を有する制御ゲート114がチャネル領域の中央チャネル部分112上に形成されている。デバイスは、ゲート絶縁膜上に形成された制御ゲート電極を更に備える。誘電複合体132が半導体基板及び制御ゲート電極を実質的に覆っている。制御ゲート電極と右側拡散領域との間で誘電複合体の一部分内に右側電荷保存領域が形成される。同様に、制御ゲート電極と左側拡散領域との間で誘電複合体の一部分内に左側電荷保存領域が形成される。ワードライン130が誘電複合体を実質的に覆っている。この新規なセルを製造する方法もまた開示されている。

請求項（抜粋）：

不揮発性半導体記憶装置デバイスにおいて、 1つの導電率型式の半導体基板と、該半導体基板に形成された右側拡散領域であって、前記半導体基板の導電率型式と反対の導電率型式を有する前記右側拡散領域と、該右側拡散領域と別個に前記半導体基板に形成され、これにより前記右側及び左側拡散領域の間にチャネル領域を形成する左側拡散領域であって、前記右側拡散領域と同一の導電率型式である前記左側拡散領域と、前記チャネル領域の中央チャネル部分上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成された制御ゲート電極と、前記基板及び該制御ゲート電極を実質的に覆う誘電複合体と、前記制御ゲート電極と前記右側拡散領域との間で前記誘電複合体の一部分内の右側電荷保存領域と、前記制御ゲート電極と前記左側拡散領域との間で前記誘電複合体の一部分内の左側電荷保存領域と、前記誘電複合体を実質的に覆うワードラインとを備える、不揮発性半導体記憶装置デバイス。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

Fターム (26件)：

5F083EP17 , 5F083EP18 , 5F083EP27 , 5F083EP32 , 5F083EP33 , 5F083EP34 , 5F083EP35 , 5F083EP37 , 5F083EP43 , 5F083ER02 , 5F083ER05 , 5F083ER16 , 5F083ER19 , 5F083GA09 , 5F083KA08 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083ZA21 , 5F101BA45 , 5F101BB02 , 5F101BC11 , 5F101BD22 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BF05

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体記憶装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-057642 出願人：株式会社東芝
不揮発性メモリセルおよびそのプログラム方法ならびに不揮発性メモリアレイ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-237527 出願人：ヘイロエルエスアイデザインアンドディヴァイステクノロジーインコーポレイテッド, 株式会社ニューヘイロ
スプリット・ゲート・メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-185647 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド

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