特許
J-GLOBAL ID：200903045865066340
シリコン上の脱離/イオン化質量分析(DIOS-MS)を使用した周囲空気の成分の吸着、検出、および同定
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
川口 義雄
, 小野 誠
, 金山 賢教
, 大崎 勝真
, 坪倉 道明
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-508703
公開番号（公開出願番号）：特表2007-524810
出願日： 2004年02月09日
公開日（公表日）： 2007年08月30日
要約：
本発明は、多孔質シリコン(「DIOS」)上脱離/イオン化チップなどの多孔質吸光性半導体の表面上に向けて、能動的または受動的に空気をサンプリングするための装置、システム、および関連する方法を提供する。検体が吸着すると、この表面を、レーザー脱離/イオン化飛行時間型質量分析によって直接分析することができる。レーザー脱離/イオン化方法および引き続く質量検出方法には高温は不要であるので、検体の熱劣化が回避される。
請求項（抜粋）：
気体中に含まれる検体の検出方法であって、
(a)検体を含む気体を、多孔質半導体基板の表面上に、前記表面上に前記検体を吸着させるのに十分な時間の間、誘導することと、
(b)レーザー脱離/イオン化によって前記検体を分析することと、
を含む方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
G01N27/62 V
, G01N27/64 B
, G01N27/62 L
, G01N27/62 H
2G041CA01
, 2G041DA03
, 2G041DA18
, 2G041EA02
, 2G041GA02
, 2G041GA03
, 2G041GA05
, 2G041GA06
, 2G041GA08
, 2G041JA06
, 2G041JA08
