特許
J-GLOBAL ID：200903045954223077

2次元キャリアガス層を有する電界効果トランジスタ

発明者：
大塚 康二

大塚 康二 について

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町田 修

町田 修 について

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室伏 仁

室伏 仁 について

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馬場 良平

馬場 良平 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (1件)： 高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-286550
公開番号（公開出願番号）：特開2007-096203
出願日： 2005年09月30日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：
【課題】2次元電子ガス層を使用する電界効果トランジスタ(HEMT)においてノーマリオフ特性が要求されている。【解決手段】電子走行層8とn型電子供給層9とを含む主半導体領域1の第1の主面11上にソース電極3とドレイン電極4とゲート電極5とを設けると共にn型の有機半導体膜6を設ける。ノーマリオフ特性が得られるようにn型電子供給層9を薄く形成する。n型の有機半導体膜6は、薄いn型電子供給層9に基づく2DEG層14の電子濃度の低下を補って、オン抵抗の低減を防ぐ働きを有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
互いに対向している第1及び第2の主面と、第1導電型を有し且つ結晶構造を有している第1の半導体層と、2次元キャリアガスを生成するために前記第1の半導体層と異なる半導体材料から成り且つ前記第1の半導体層に隣接配置され且つ前記第1の主面に対して前記第1の半導体層よりも遠い位置に配置され且つ結晶構造を有している第2の半導体層とを備えた半導体領域と、 前記半導体領域の前記第1の主面上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、 前記半導体領域の前記第1の主面における前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置されたゲート電極と、 前記半導体領域の前記第1の主面における前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の少なくとも一部の上に配置され且つ前記第1導電型を有している有機半導体膜と を備えていることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/06
FI (4件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/80 Q ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/06 301F
Fターム (17件)：
5F102FA00 ,  5F102FA08 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR11 ,  5F102GV05 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 電界効果トランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-000842   出願人：日本電気株式会社
  • 特開平1-295459公報
審査官引用 (3件)

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