特許
J-GLOBAL ID：200903095281514713

電界効果トランジスタ

発明者：
重川 直輝

重川 直輝 について

, 
榎木 孝知

榎木 孝知 について

, 
塩島 謙次

塩島 謙次 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-223872
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037118
出願日： 2001年07月25日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：
【要約】【課題】 ナイトライド系化合物半導体電界効果トランジスタのしきい値電圧を制御し、正のしきい値電圧を有し、かつ寄生抵抗の低いトランジスタを実現することにある。【解決手段】 半導体多層構造16表面の、ソース電極17とゲート電極110間の領域及びドレイン電極18とゲート電極110間の領域に、圧縮性の応力を伴う絶縁層111及び112を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上にバッファ層とチャネル層とスペーサ層とキャリア供給層とショットキー層が順次堆積されることにより半導体多層構造が形成され、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極が該半導体多層構造表面に形成されている電界効果トランジスタにおいて、ソース電極・ゲート電極間の半導体多層構造表面の全面及びドレイン電極・ゲート電極間の半導体多層構造表面の全面を被覆する形状を伴って、圧縮性の応力を伴う絶縁層が形成されることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
Fターム (19件)：
5F102FA01 ,  5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR07 ,  5F102GR09 ,  5F102GT03 ,  5F102GV05 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC10
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 高電子移動度トランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-076736   出願人：富士通カンタムデバイス株式会社
  • 特開昭61-171170
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-007648   出願人：日本電気株式会社
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審査官引用 (5件)
  • 高電子移動度トランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-076736   出願人：富士通カンタムデバイス株式会社
  • 特開昭61-171170
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-007648   出願人：日本電気株式会社
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