ドーピング方法およびそれを用いた半導体素子

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：大川譲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-414550
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175254
出願日： 2003年12月12日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：

【課題】ソース、ドレインの浅接合化を実現するもので、素子の特性がばらつきのないドーピング方法およびそれを用いた半導体素子を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、半導体表面にフラーレン誘導体分子およびメタロセン分子のうち電子親和力が大きい、或いはイオン化エネルギーの小さいものを付着させることにより、分子から半導体への電荷移動を誘起させ、半導体のドーピングを行う。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

メタロセン又はフラーレン誘導体を半導体表面に直接或いは間接的に付着させ、該メタロセン又はフラーレン誘導体から半導体表面への電荷移動により、半導体表面近傍にキャリアを発生させることを特徴とするドーピング方法。

IPC (10件)：

H01L21/336 , H01L21/329 , H01L21/8247 , H01L27/10 , H01L27/115 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L29/861

FI (8件)：

H01L29/78 301L , H01L27/10 451 , H01L29/66 C , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L29/91 C , H01L29/91 A , H01L29/91 E

Fターム (31件)：

5F083EP17 , 5F083EP22 , 5F083ER30 , 5F083FZ04 , 5F083JA36 , 5F083JA56 , 5F083JA60 , 5F083PR33 , 5F083PR36 , 5F101BA54 , 5F101BA61 , 5F101BB02 , 5F101BD02 , 5F101BH01 , 5F101BH09 , 5F101BH16 , 5F140AA13 , 5F140AC32 , 5F140BA01 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BH14 , 5F140BJ23 , 5F140BK03 , 5F140BK11 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140CA03 , 5F140CC08 , 5F140CF07

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-311655 出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (9件)

特開平4-158576
有機太陽電池
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-230249 出願人：株式会社日本触媒
有機トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-402664 出願人：株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る