特許
J-GLOBAL ID:200903046004052507

イオン注入中における基板上の電荷蓄積を中和するエレクトロンフラッド装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長谷川 芳樹 (外5名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-176511
公開番号(公開出願番号):特開平11-073908
出願日: 1998年05月20日
公開日(公表日): 1999年03月16日
要約:
【要約】【課題】 イオンビーム注入装置による基板内へのイオン注入中おける基板上への正電荷蓄積を中和するエレクトロンフラッド装置を提供する。【解決手段】 このエレクトロンフラッド装置は、基板に対してイオンビームを軸方向に授受するチューブと、このチューブの側壁内の開口と、前記チューブの前記開口と連通する出口孔を有するプラズマチャンバと、前記プラズマチャンバに対する不活性ガスの供給源と、高周波電源と、前記高周波電源から高周波電力を供給し、前記チャンバ内にプラズマを維持して低エネルギ電子を生成する手段と、を備えており、これにより、前記低エネルギ電子の束が前記チャンバから前記出口孔を通って前記チューブ内に入り、前記イオンビームと合流するようになっている。
請求項(抜粋):
イオンビーム注入装置による基板内へのイオン注入中における基板上への正電荷蓄積を中和するエレクトロンフラッド装置であって、イオンビームを軸方向に沿って受け取るとともに、イオンビームを軸方向に沿って基板へ受け渡すチューブと、このチューブの側壁内の開口と、前記チューブの前記開口と連通する出口孔を有するプラズマチャンバと、前記プラズマチャンバに対する不活性ガスの供給源と、高周波(h.f.)電源と、前記電源からh.f.電力を供給し、前記チャンバ内にプラズマを維持して低エネルギ電子を生成する手段と、を備え、前記低エネルギ電子の束が前記チャンバから出て、前記出口孔を通って前記チューブ内に入り、前記イオンビームと合流するようになっているエレクトロンフラッド装置。
IPC (4件):
H01J 37/317 ,  H01J 37/077 ,  H01J 37/20 ,  H01L 21/265
FI (4件):
H01J 37/317 Z ,  H01J 37/077 ,  H01J 37/20 H ,  H01L 21/265 N
引用特許:
審査官引用 (6件)
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