半導体装置およびその製造方法並びにその半導体装置製造用基板およびその製造方法。

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：片山修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-096902
公開番号（公開出願番号）：特開2006-278812
出願日： 2005年03月30日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：

【課題】高ドレイン電圧を印加したときに生じるコラプス現象を抑制し、高出力動作可能な半導体装置およびその製造方法並びにその半導体装置製造用基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板(11)上に形成されたGaN系半導体層(13)と、GaN系半導体層(13)の表面に形成された、珪素またはアルミニウムが化学量論的な組成比より多い窒化珪素、酸化珪素、酸化窒化珪素、窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウムからなる絶縁膜(25)と、GaN系半導体層(13)上に形成されたゲート電極(18)と、ゲート電極(18)を挟んで形成されたソース電極(14)およびドレイン電極(16)と、を具備する半導体装置およびその製造方法並びにその半導体装置製造用基板およびその製造方法である。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたGaN系半導体層と、該GaN系半導体層の表面に形成された、珪素の組成比が窒素に対し0.85〜3.0の窒化珪素、珪素の組成比が酸素に対し0.6〜3.0の酸化珪素、並びに珪素の組成比が窒素および酸素に対し0.6〜3.0の酸化窒化珪素、のいずれか1つからなる絶縁膜と、前記GaN系半導体層上に形成されたゲート電極と、該ゲート電極を挟んで形成されたソース電極およびドレイン電極と、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/205 , H01L 21/28 , H01L 21/318 , H01L 29/417 , H01L 29/423 , H01L 29/778

FI (8件)：

H01L29/80 Q , H01L21/205 , H01L21/28 301B , H01L21/28 301R , H01L21/318 B , H01L29/50 J , H01L29/58 Z , H01L29/80 H

Fターム (55件)：

4M104AA04 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD08 , 4M104DD17 , 4M104DD34 , 4M104DD68 , 4M104FF13 , 4M104GG12 , 5F045AA04 , 5F045AA08 , 5F045AA19 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB33 , 5F045AB34 , 5F045AC01 , 5F045AC12 , 5F045AC16 , 5F045AF09 , 5F045CA06 , 5F045CA07 , 5F045EE12 , 5F045EH11 , 5F045EH13 , 5F058BB01 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BF07 , 5F058BF12 , 5F058BF23 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BJ01 , 5F102FA00 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GL02 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GS01 , 5F102GT01 , 5F102GT02 , 5F102GT03 , 5F102GV05 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F102HC11 , 5F102HC19

引用特許：

出願人引用 (3件)

電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-364405 出願人：日本電気株式会社
化合物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-190006 出願人：信越半導体株式会社
高電子移動度トランジスタ及び電力増幅器
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-179544 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (2件)

化合物半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-006970 出願人：富士通株式会社
ショットキーゲートFETおよびモノリシック型マイクロ波集積回路装置ならびにその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-030099 出願人：三菱電機株式会社

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