化合物半導体素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菅原正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-190006
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229439
出願日： 2002年06月28日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：

【要約】【課題】 GaN系の化合物半導体素子において、2DEG層中の電子濃度を有効に高めることができ、大出力化を可能とする素子構造を提供する。【解決手段】 HEMT1は、AlGaN電子供給層110のAlN混晶比が、0.15〜0.25に調整される。また、AlGaNスペーサ層105がAlGaN電子供給層110と隣接する部分は、AlGaN電子供給層110と同じAlN混晶比yを有するAlyGa1-yN層105bとされる。他方、AlGaNスペーサ層105がGaNチャネル層119と隣接する部分は、AlyGa1-yN層105bよりもAlN混晶比xが高い、AlxGa1-xN層105a(例えばx≧0.3)とされる。AlGaNスペーサ層105の全体ではなく、GaNチャネル層119との境界領域をなすAlxGa1-xN層105aのみ選択的にAlN混晶比xを高めることにより、AlGaNスペーサ層105の格子緩和を防止でき、GaNチャネル層119に大きなピエゾ電界を印加できる。

請求項（抜粋）：

各々Gaを必須とするIII族元素の窒化物からなる電子供給層と、スペーサ層と、チャネル層とがこの順序にて格子整合形態で接合された構造を有し、前記スペーサ層がAlGaN層からなるとともに、当該スペーサ層の前記チャネル層と接する領域のAlN混晶比を、残余の領域よりも高くしたことを特徴とする化合物半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812

Fターム (23件)：

5F102FA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GL07 , 5F102GL16 , 5F102GL17 , 5F102GL20 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GM08 , 5F102GM10 , 5F102GN04 , 5F102GQ01 , 5F102GQ02 , 5F102GQ03 , 5F102GR04 , 5F102GS01 , 5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (8件)

2次元電子ガスを用いた電子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-257821 出願人：日亜化学工業株式会社
特開昭59-028383
特開昭59-000968

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