特許
J-GLOBAL ID：200903046131329143
高磁場均一度超電導磁石装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小谷 悦司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-076788
公開番号（公開出願番号）：特開2001-264402
出願日： 2000年03月17日
公開日（公表日）： 2001年09月26日
要約：
【要約】【課題】 将来の酸化物超電導材料の開発成果を取り込める様にしながら、現時点で作製できる超電導線材を使用した高磁場で且つ均一度の高い超電導磁石装置を提供する。【解決手段】 主磁場を発生する超電導メインコイル群と、前記超電導コイル群の中心付近の空間における磁場の均一度を維持する様に磁場の空間分布を調整するための超電導補正コイル群および超電導シムコイル群が同芯状に配列された高磁場均一度超電導磁石装置において、前記超電導メインコイル群と超電導シムコイル群の間に補正コイル追加用の円筒状予備空間を設けたものである。
請求項（抜粋）：
主磁場を発生する超電導メインコイル群と、前記超電導コイル群の中心付近の空間における磁場の均一度を維持する様に磁場の空間分布を調整するための超電導補正コイル群および超電導シムコイル群が同芯状に配列された高磁場均一度超電導磁石装置において、前記超電導メインコイル群と超電導シムコイル群の間に補正コイル追加用の円筒状予備空間を設けたものであることを特徴とする高磁場均一度超電導磁石装置。
IPC (4件)：
G01R 33/3815
, A61B 5/055
, G01R 33/3875
, H01F 6/00 ZAA
G01N 24/06 510 C
, A61B 5/05 331
, A61B 5/05 332
, G01N 24/06 520 J
, H01F 7/22 ZAA A
4C096AB32
, 4C096CA02
, 4C096CA22
, 4C096CA32
, 4C096CA35
, 4C096CA36
, 4C096CA70
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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