薄膜製造装置および製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾身祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-255055
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077029
出願日： 1999年09月09日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】高品質な非単結晶シリコン膜、例えばアモルファスシリコン膜を200°C程度の低い基板温度で形成する。【解決手段】第一のプラズマ源となり、シラン等の原料ガスを供給する第一の電極2とは別に、基板7表面に水素ガスや希ガス等を供給できるガス導入管9を設け、これからもプラズマを発生させることができるようにする。これにより基板表面付近に活性な水素ラジカル・イオン、希ガスラジカル・イオン等を供給し、膜堆積表面にエネルギーを付与することにより低い基板温度でも高品質な非単結晶シリコン膜を形成することができる。

請求項（抜粋）：

シラン系ガスを用いて非単結晶シリコン膜または非単結晶シリコン化合物を成膜するプラズマCVD装置であって、放電が行われる真空容器と、第一の原料ガスをシャワー状に前記真空容器内に供給する、高周波電力が供給されて第一のプラズマ源となる第一の平板電極と、前記真空容器内に前記第一の平板電極と平行に対向配置され、基板を保持する機構を有する第二の平板電極と、前記第一、第二の平板電極の間にあって、前記第二の平板電極の表面近傍に第二の原料ガスを供給するガス供給機構と、を有することを特徴とするプラズマCVD装置。

Fターム (26件)：

5F045AA08 , 5F045AB03 , 5F045AB04 , 5F045AB33 , 5F045AB34 , 5F045AC01 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC19 , 5F045AD06 , 5F045BB07 , 5F045BB09 , 5F045CA15 , 5F045DA68 , 5F045DP03 , 5F045EB02 , 5F045EF03 , 5F045EF11 , 5F045EH02 , 5F045EH04 , 5F045EH05 , 5F045EH06 , 5F045EH08 , 5F045EH14 , 5F045EH16 , 5F045EH20

引用特許：

審査官引用 (8件)

プラズマCVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-071213 出願人：日新電機株式会社
プラズマCVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-332571 出願人：日本電気株式会社
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-172415 出願人：三菱重工業株式会社

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