特許
J-GLOBAL ID：200903046164688041
テクスチャ出しされた半導体層を特徴とする光学装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋元 輝雄
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-508566
公開番号（公開出願番号）：特表2007-533164
出願日： 2005年04月15日
公開日（公表日）： 2007年11月15日
要約：
半導体センサ、太陽電池又はエミッタあるいはそれらの前駆体は、基板と、この基板上に堆積されたテクスチャ出しされた半導体層とを有する。この層は、基板上に成長されるときにテクスチャ出しされるか、テクスチャ出しされた基板表面を複製することによってテクスチャ出しされる。それから基板又は第1の層は、装置から他の半導体層を成長させたりテクスチャ出しするためのテンプレートとなる。テクスチャ出しされた層は、基板から表面に複製されて、光取り出しや光吸収を強化する。いくつかの障壁及び量子井戸層からなる複合的量子井戸は、テクスチャ出しされた層を交互に繰り返しながら堆積される。量子井戸層の領域におけるテクスチャ出しは、半導体が有極性であり、そして量子井戸が極性方向に沿って成長される場合に、内部量子効率を大幅に強化する。これは、窒化物半導体が極性[0001]又は[000-1]方向に沿って成長される場合である。【選択図】図5c
請求項（抜粋）：
光学センサ、太陽電池又はエミッタとして使用される半導体装置であって、
サファイア、炭化シリコン、酸化亜鉛、シリコン、ヒ化ガリウム、窒化ガリウム、窒化アルミニウム及び窒化アルミニウムガリウムからなる群から選択された材料からなる基板と、
前記基板上の第1の層であって、III-V材料からなると共に、その表面がテクスチャ出しされたトポロジーを有する第1の層と、
障壁層と交互になると共に、第1の層の表面によってテクスチャ出しされた1以上の量子井戸層とを備え、
障壁層はIII-V材料からなり、また量子井戸層はIII-V材料からなることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA64
, 5F041CA65
