III族窒化膜双方向スイッチ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：竹沢荘一 , 中馬典嗣
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-553318
公開番号（公開出願番号）：特表2007-526633
出願日： 2005年02月14日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：

【課題】電力用デバイスにおいて双方向に電圧をブロックできるようにする。【解決手段】大電流を搬送するチャンネルを得るAlGaN/GaNインターフェースを備えたIII族窒化物双方向スイッチであり、この双方向スイッチは、この双方向スイッチのために、電流を搬送するチャンネルを形成するための二次元電子ガスの発生を阻止したり、または可能にする少なくとも1つのゲートにより作動する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、 III族窒化物半導体材料からなる第1半導体本体と、前記第1半導体本体の上に形成され、別のIII族窒化物半導体材料からなり、前記第1半導体本体のIII族窒化物半導体材料と異なるバンドギャップを有する第2半導体本体と、前記第2半導体本体の第1部分に形成され、この第1部分にオーミック接続された第1オーミック電極と、前記第2半導体本体の第2部分に形成され、この第2部分にオーミック接続された第2オーミック電極と、前記第2半導体本体上に形成され、前記第1オーミック電極と前記第2オーミック電極との間に配置されたゲート電極とを備え、前記デバイスが対称的な電圧ブロッキング能力を有するように、前記ゲート電極が位置している、双方向半導体スイッチ。

IPC (6件)：

H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 29/80

FI (4件)：

H01L29/80 H , H01L29/78 301B , H01L29/78 618B , H01L29/80 W

Fターム (78件)：

5F102GA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GC05 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GS09 , 5F102GT01 , 5F102GT03 , 5F102GT05 , 5F102GT07 , 5F102GV06 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F110BB12 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE28 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110GG04 , 5F110GG20 , 5F110HK11 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL08 , 5F110HL12 , 5F110NN02 , 5F140AC18 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BB06 , 5F140BB18 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BE09 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF06 , 5F140BF07 , 5F140BF46 , 5F140BF53 , 5F140BF54 , 5F140BH03 , 5F140BH04 , 5F140BH27 , 5F140BJ04 , 5F140BJ05 , 5F140BJ06 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ16 , 5F140BJ17 , 5F140BK25 , 5F140BK38 , 5F140CA10

引用特許：

審査官引用 (5件)

電界効果トランジスタとそれを備えた半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-084933 出願人：名古屋工業大学長, 日本酸素株式会社
電界効果トランジスタとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-317940 出願人：富士通カンタムデバイス株式会社
高周波用集積回路素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-200383 出願人：株式会社東芝

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