特許

J-GLOBAL ID：200903046245833534

2層構造のボロメータ型赤外線センサ及びその製造方法

発明者： リー,ホン-キイ ,  イム,ヤング-グエン
出願人/特許権者： オカス コーポレーション
代理人 (2件)： 斉藤 武彦 ,  畑 泰之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-532070
公開番号（公開出願番号）：特表2007-509315
出願日： 2004年09月09日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：

【課題】分光学的な設計によって赤外線吸収率を高めるとともに、熱による応力によるセンサの変形を防止できる2層構造のボロメータ型赤外線センサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明のボロメータ型赤外線センサは、前記検出回路基板上部の反射金属層を含む下部層と、前記下部層上に存在し赤外線を共鳴吸収する空胴と、前記空胴上に存在し前記ピクセルの中央部を横切る切断部が形成された吸収透過層と前記吸収透過層の上、下部面を覆うボロメータ層が存在するサンドウィッチ構造の上部層と、前記ピクセルのエッジに位置し前記上部層を支持するとともに電極としての機能を果たすアンカーを含むことを特徴とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

検出回路基板と複数のピクセルを含む赤外線センサにおいて、 前記検出回路基板上の第1バッファ層と、 前記第1バッファ層上の反射金属層を含む下部層と、 前記下部層上に存在し、赤外線を共鳴吸収する空胴と、 前記空胴上の第1絶縁膜層、前記第1絶縁膜層上の第2バッファ層、前記第2バッファ層上のボロメータ層、前記ボロメータ層上の第2絶縁膜層及び前記第2絶縁膜層上の吸収透過層を含む上部層と、 前記上部層を支持し、前記基板上に存在する1対以上のアンカーと、 を含んで構成される単位ピクセルからなることを特徴とする2層構造のボロメータ型赤外線センサ。

IPC (1件)：

G01J 1/02

FI (1件)：

G01J1/02 C

Fターム (7件)：

2G065AA04 ,  2G065AB02 ,  2G065BA12 ,  2G065BA34 ,  2G065CA30 ,  2G066BA09 ,  2G066BA55

引用特許：

出願人引用 (7件)

• 米国特許第5、300、915号明細書
  
• 大韓民国登録特許第10-299642号明細書
  
• 大韓民国登録特許第10-299643号明細書
  
• 米国特許第6、448、557号明細書
  
• 米国特許第6、441、374号明細書
  
• 大韓民国公開特許第2000-46515号
  
• 大韓民国公開特許第2000-4158号
  

審査官引用 (4件)

• 熱型赤外線センサとその製造方法およびこれを用いた赤外線イメージセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-242675   出願人：木村光照, 株式会社ニコン
• 熱型赤外線撮像装置および熱型赤外線受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-133422   出願人：株式会社ニコン
• ボロメータとその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-262336   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 熱型赤外線センサ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-176225   出願人：株式会社ニコン