特許

J-GLOBAL ID：200903046253794610

炭化珪素半導体素子の製造方法

発明者： 和泉 俊介 ,  藤澤 広幸 ,  俵 武志
出願人/特許権者： 富士電機ホールディングス株式会社
代理人 (1件)： 酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-160054
公開番号（公開出願番号）：特開2004-363326
出願日： 2003年06月04日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：

【課題】逆方向バイアス時に漏れ電流が増加するのを抑制すること。【解決手段】4H-SiCよりなるn型基板1およびその表面に成長させたn型エピタキシャル層2よりなるウェハ3に、マスク4を介して、Al+イオン5を注入し、イオン注入層6を形成する。このウェハ3を、1気圧のAr雰囲気中で1700°C、30分間熱処理して、注入されたAl原子を活性化させる。つづいて、1800°Cで、水素流量が毎分10リットルで、圧力が3kPaの雰囲気中で2分間のエッチングをおこない、ウェハ3の表面の膜質低下層7を除去する。最後に、基板裏面にオーミック電極8を形成し、基板表面にショットキー電極9を形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

炭化珪素半導体基板の表面層に不純物イオンを注入する工程と、 熱処理をおこなって、炭化珪素半導体基板に注入された不純物を活性化させる工程と、 水素を含む雰囲気中で基板表面をエッチングして、前記熱処理時に基板表面に生じた膜質低下層を除去する工程と、 前記膜質低下層が除去された表面に電極を形成する工程と、 を含むことを特徴とする炭化珪素半導体素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L29/47 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L29/872

FI (5件)：

H01L29/48 D ,  H01L21/265 602A ,  H01L21/28 A ,  H01L21/265 Z ,  H01L29/48 P

Fターム (5件)：

4M104AA03 ,  4M104CC03 ,  4M104DD22 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• SiC半導体の表面モホロジー制御方法およびSiC半導体薄膜の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-084510   出願人：富士電機株式会社
• 炭化珪素膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-322331   出願人：松下電器産業株式会社
• SiC半導体層およびショットキーコンタクトの表面を処理するための方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-537784   出願人：インフィネオンテクノロジーズアクチェンゲゼルシャフト