特許
J-GLOBAL ID：200903046253902189

メモリトランジスタのしきい値評価方法及び半導体メモリ装置

発明者：
金武 法一

金武 法一 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 足立 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-343048
公開番号（公開出願番号）：特開2000-173299
出願日： 1998年12月02日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：
【要約】【課題】 半導体メモリ装置において、カラムトランジスタのオン抵抗の影響を受けることなく、メモリトランジスタのしきい値電圧を評価できるようにする。【解決手段】 メモリトランジスタ10からの情報読出時には、レベルシフタ16からカラムトランジスタ12のゲートに電圧Vppを印加してトランジスタ12をオンさせ、ビット線BLにセンスアンプ14を接続し、且つ、レベルシフタ18からメモリトランジスタ10のゲートに電圧Vppを印加することにより、センスアンプ14から記憶情報を表す信号が出力されるようにしたメモリ装置において、レベルシフタ16,18の電源ラインを別系統(VL2,VL3) にする。そして、メモリトランジスタ10のしきい値電圧を評価する際には、メモリ装置を情報読出時と同様に動作させて、メモリトランジスタ10のゲート電圧(Vw)のみを変化させ、センスアンプ14の出力が変化したときのゲート電圧から、メモリトランジスタ10のしきい値電圧を評価する。
請求項（抜粋）：
半導体メモリ装置において、メモリトランジスタの出力端子に接続されたビット線上の列選択用トランジスタをオンすることにより、該ビット線にセンスアンプを接続すると共に、前記メモリトランジスタの制御端子に情報読出用の電圧を印加して、該印加電圧を変化させ、該印加電圧の変化に伴う前記センスアンプからの出力変化に基づき、前記メモリトランジスタのしきい値電圧を評価する、メモリトランジスタのしきい値評価方法であって、前記メモリトランジスタの制御端子への印加電圧を変化させる際、前記列選択用トランジスタのオン抵抗を一定値に保持することを特徴とするメモリトランジスタのしきい値評価方法。
IPC (2件)：
G11C 29/00 673 ,  G11C 16/02
FI (2件)：
G11C 29/00 673 V ,  G11C 17/00 613
引用特許：
審査官引用 (7件)
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