特許

J-GLOBAL ID：200903046330377270

シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶並びにシリコンウエーハ

発明者： 宮原 祐一 ,  五十嵐 哲也 ,  小田 道明 ,  星 亮二
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-101320
公開番号（公開出願番号）：特開2002-293691
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月09日
要約：

【要約】【課題】 特別な装置または工程を付加することなく酸素析出量を増やし、シリコンウエーハ中の汚染原子のIG能力を高め、かつ従来のポリッシュドウエーハと同様に扱える優れたシリコンウエーハを簡単かつ安価に製造する。【解決手段】 チョクラルスキー(CZ)法によるシリコン単結晶の製造方法において、育成されるシリコン単結晶中の炭素濃度が0.18×1016〜0.61×1016atoms/cm3(New ASTM)となるように、シリコン単結晶に炭素をドープするシリコン単結晶の製造方法。およびシリコンウエーハであってシリコンウエーハ中の炭素濃度が0.18×1016〜0.61×1016atoms/cm3であるシリコンウエーハ。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー(CZ)法によるシリコン単結晶の製造方法において、育成されるシリコン単結晶中の炭素濃度が0.18×1016〜0.61×1016atoms/cm3(New ASTM)となるように、シリコン単結晶に炭素をドープすることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 29/06 ,  C30B 15/04

FI (3件)：

C30B 29/06 502 H ,  C30B 29/06 A ,  C30B 15/04

Fターム (7件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BA04 ,  4G077EB01 ,  4G077PB01 ,  4G077PB05 ,  4G077PB09

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平3-218995
  
• シリコンウェーハとシリコンエピタキシャルウェーハ並びにその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-128343   出願人：住友金属工業株式会社
• 半導体単結晶シリコンの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-134355   出願人：住友金属工業株式会社
• 特開平3-218995
  
• シリコン単結晶及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-093299   出願人：住友金属工業株式会社