特許
J-GLOBAL ID：200903046335726516

半導体装置の作製方法

発明者：
田中 幸一郎

田中 幸一郎 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-079661
公開番号（公開出願番号）：特開2001-338873
出願日： 2001年03月21日
公開日（公表日）： 2001年12月07日
要約：
【要約】【課題】 非晶質半導体膜の結晶化または結晶性を向上させるための方法を提供する。【解決手段】波長の異なるレーザを用いて、非晶質半導体膜にレーザアニールを行うことで、前記非晶質半導体膜の結晶化または結晶性の向上を行うことが出来る。初めに波長が126〜370nmの範囲であるレーザを用いて、非晶質半導体膜にレーザアニールを行い、第1の結晶質半導体膜を得る。次に、波長が370〜650nmの範囲のレーザを用いて、前記第1の結晶質半導体膜に照射して第2の結晶質半導体膜を形成する。このようにして得られた前記第2の結晶質半導体膜は結晶性が良く、前記第2の結晶質半導体膜をTFTの活性層とすれば、電気的特性の向上も見られる。なお、レーザアニールを行う際は、光学系を用いてレーザビームを照射面における形状が線状である線状ビームに加工して照射するのが望ましい。
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に非晶質半導体膜を形成する第1の工程と、前記非晶質半導体膜に第1のレーザビームを照射して第1の結晶質半導体膜を形成する第2の工程と、前記第1の結晶質半導体膜に第2のレーザビームを照射して第2の結晶質半導体膜を形成する第3の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (7件)：
H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (6件)：
H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  H01L 21/268 J ,  H01L 29/78 627 G
引用特許：
審査官引用 (5件)
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