特許
J-GLOBAL ID：200903046352001550

半導体装置

発明者：
塚本 信夫

塚本 信夫 について


出願人/特許権者：
株式会社豊田自動織機

株式会社豊田自動織機 について


代理人 (1件)： 大菅 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-145580
公開番号（公開出願番号）：特開2007-318911
出願日： 2006年05月25日
公開日（公表日）： 2007年12月06日
要約：
【課題】出力電圧のリップルを抑えつつ、損失の増加を抑えることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】絶縁層8を介して金属ベース9の上面に回路パターン10が形成されて成る金属ベース基板3と、金属ベース基板3上に実装されるMOSFET72、73と、金属ベース基板3上に実装され、回路パターン10を介してMOSFET73と接続されるチップコンデンサ4-1〜4-3と、チップコンデンサ4-1〜4-3の合成容量より容量が大きく、少なくとも回路パターン10を介してチップコンデンサ4-1〜4-3に接続される電解コンデンサ75とを備えて半導体装置2を構成する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
絶縁層を介して金属ベースの上面に回路パターンが形成されて成る金属ベース基板と、 前記金属ベース基板上に実装される半導体素子と、 前記金属ベース基板上に実装され、前記回路パターンを介して前記半導体素子と接続されるチップコンデンサと、 前記チップコンデンサより容量が大きく、少なくとも前記回路パターンを介して前記チップコンデンサに並列に接続されるコンデンサと、 を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H02M 3/155 ,  H02M 7/48 ,  H05K 3/32
FI (4件)：
H02M3/155 E ,  H02M3/155 T ,  H02M7/48 Z ,  H05K3/32
Fターム (17件)：
5E319AA03 ,  5E319AC06 ,  5H007AA01 ,  5H007BB06 ,  5H007CA02 ,  5H007CB05 ,  5H007HA03 ,  5H007HA04 ,  5H730AA02 ,  5H730AA14 ,  5H730BB13 ,  5H730BB14 ,  5H730DD04 ,  5H730DD12 ,  5H730ZZ04 ,  5H730ZZ11 ,  5H730ZZ12
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-057237   出願人：株式会社豊田自動織機
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM