減圧型気相成長装置及びそれを用いた気相成長方法

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：清水守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-274115
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139029
出願日： 1994年11月09日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【目的】膜質が良好でしかも膜厚が均一なCVD膜を生成することができる減圧型気相成長装置及びそれを用いた気相成長方法を提供する。【構成】上部が開口するインナーチューブ内に半導体ウエハをセットし、その半導体ウエハ上に膜を形成する減圧型気相成長装置において、インナーチューブ104外に連通する第1の排気口110と、インナーチューブ104の下部に配置されるとともに、そのインナーチューブ104内の下部に連通する第2の排気口111と、インナーチューブ104内の下部に配置される第1のガスインジェクタ106と、インナーチューブ104内の上部に配置される第2のガスインジェクタ107とを設ける。

請求項（抜粋）：

上部が開口するインナーチューブ内に半導体ウエハをセットし、該半導体ウエハ上に膜を形成する減圧型気相成長装置において、(a)前記インナーチューブ外に連通する第1の排気口と、(b)前記インナーチューブの下部に配置されるとともに、該インナーチューブ内の下部に連通する第2の排気口と、(c)前記インナーチューブ内の下部に配置される第1のガスインジェクタと、(d)前記インナーチューブ内の上部に配置される第2のガスインジェクタとを具備することを特徴とする減圧型気相成長装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , H01L 21/22 511

引用特許：

審査官引用 (7件)

減圧気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-154894 出願人：山口日本電気株式会社
特開平4-343412
特開平2-074587

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