基板処理システム

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大森純一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-319354
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124102
出願日： 2001年10月17日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】基板に付着した分子レベルの不純物を除去できる基板処理システムを提供すること。【解決手段】密閉された処理室R内でレジストが塗布されたウエハWを加熱する熱板32と、処理室R内を減圧する真空ポンプ26と、レジストに付着した不純物を除去するように加熱温度と処理室R内の圧力とを制御する制御手段とを有する。従って、加熱処理による蒸発作用と減圧処理による吸引作用との相互作用により、従来では除去し切れなかった分子レベルの不純物、例えば、ウエハ上のレジスト表面に付着した酸素、オゾン又は水分等が除去できる。

請求項（抜粋）：

露光装置に隣接して設けられ、少なくともレジストが塗布された基板を前記露光装置に受け渡す手段を有する基板処理システムにおいて、密閉された処理室内で前記レジストが塗布された基板を加熱する手段と、前記処理室内を減圧する手段と、前記レジストに付着した不純物を除去するように前記加熱温度と前記処理室内の圧力とを制御する制御手段とを有する不純物除去装置を具備することを特徴とする基板処理システム。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , B05C 9/14 , G03F 7/30 501 , G03F 7/38 501

FI (5件)：

B05C 9/14 , G03F 7/30 501 , G03F 7/38 501 , H01L 21/30 565 , H01L 21/30 562

Fターム (20件)：

2H096AA25 , 2H096AA27 , 2H096DA10 , 2H096FA10 , 4F042AA02 , 4F042AA07 , 4F042BA06 , 4F042BA19 , 4F042DB04 , 4F042DB17 , 4F042DB25 , 4F042DC00 , 4F042DC01 , 4F042EB21 , 4F042EB24 , 4F042EB30 , 5F046AA28 , 5F046KA04 , 5F046KA05 , 5F046KA10

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-313215
現像装置及び現像方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-172445 出願人：日本電信電話株式会社
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-107724 出願人：沖電気工業株式会社

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