特許
J-GLOBAL ID：200903046524714774
半導体装置の製造方法および半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-178969
公開番号（公開出願番号）：特開2008-008729
出願日： 2006年06月29日
公開日（公表日）： 2008年01月17日
要約：
【課題】半導体装置のセンサの性能を向上させる。【解決手段】半導体チップ1の主面には、超音波センサを形成する複数の振動子3が配置されている。この半導体チップ1の最上層には振動子3を保護するネガ型の感光性絶縁膜が堆積されている。この感光性絶縁膜に開口部を形成するための露光の際には、半導体チップ1を複数の露光領域に分けて露光し、その各々の露光領域を繋ぎ合わせることで全体を露光する。この際、互いに隣接する露光領域の連結部における繋ぎ露光領域SRの幅方向の中心CLが、繋ぎ露光領域SRの上下の各々の振動子3の中心C0と中心C0とを結ぶ線上の中央に位置するように繋ぎ露光領域SRを配置する。【選択図】図24
請求項（抜粋）：
(a)厚さ方向に沿って互いに反対側に位置する第1主面および第2主面を持つ半導体基板を用意する工程と、
(b)前記半導体基板の前記第1主面の複数のチップ領域の各々に複数のセンサセルを形成する工程と、
(c)前記半導体基板の前記第1主面上に前記複数のセンサセルを覆うようにネガ型の感光性絶縁膜を堆積する工程と、
(d)前記複数のチップ領域の各々のチップ領域において、前記ネガ型の感光性絶縁膜に対して露光処理を施すことにより、前記ネガ型の感光性絶縁膜に所望のパターンを転写する工程と、
(e)前記ネガ型の感光性絶縁膜に対して現像処理を施すことにより、前記ネガ型の感光性絶縁膜に前記所望のパターンを形成する工程とを有し、
前記複数のセンサセルの各々は、
前記半導体基板の前記第1主面上に形成された第1電極と、
前記第1電極に対向するように設けられた第2電極と、
前記第1電極および前記第2電極の間に設けられた空洞部とを有しており、
前記(d)工程は、
前記各々のチップ領域において、1つのチップ領域を複数の露光領域に分けて露光する工程を有しており、
前記複数の露光領域の露光処理においては、
前記複数の露光領域の互いに隣接する露光領域の連結部に、前記互いに隣接する露光領域の一部が互いに重なり合う繋ぎ露光領域が形成されるように露光処理を行っており、
前記繋ぎ露光領域は、その短方向の中心が、前記繋ぎ露光領域を挟むように互いに隣接するセンサセルの中心と中心とを結んだ線上の中央に位置するように形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5J083AB17
, 5J083AB18
, 5J083AC01
, 5J083AC28
, 5J083CA12
, 5J083CB30
出願人引用 (9件)
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米国特許第6320239B1号明細書
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米国特許第6271620B1号明細書
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米国特許第6571445B2号明細書
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審査官引用 (3件)
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