特許

J-GLOBAL ID：200903046600682844

Al2O3膜のドライエッチング方法

発明者： 山田 健太郎 ,  島田 剛 ,  藤本 幸太郎
出願人/特許権者： 株式会社日立ハイテクノロジーズ
代理人 (1件)： 特許業務法人第一国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-249429
公開番号（公開出願番号）：特開2009-081271
出願日： 2007年09月26日
公開日（公表日）： 2009年04月16日
要約：

【課題】磁気ヘッドで使用されている厚いAl2O3膜の上にルテニウム膜を形成したウエハの加工において、高い選択比が得られるドライエッチング方法提供する。【解決手段】NiCr膜15の上に、Al2O3膜14、ルテニウム膜13、SiO2膜、12、レジストマスク11を積層したウエハのエッチングにおいて、塩素と酸素を含む処理ガスを用いてルテニウム膜13をプラズマエッチング処理し(図1(c))、引き続きルテニウム膜13をマスクとしBCl3ガス主体の塩素ガスおよびアルゴンガスを含む混合ガスを用いてAl2O3膜14をプラズマエッチング処理する(図1(d)。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Al2O3膜のドライエッチング方法において、 塩素と酸素を含む処理ガスを用いてルテニウム膜をプラズマエッチング処理し、 引き続きルテニウム膜をマスクとしBCl3ガス主体の塩素ガスおよびアルゴンガスを含む混合ガスを用いてAl2O3膜をプラズマエッチング処理する ことを特徴とするAl2O3膜のドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  G11B 5/31

FI (2件)：

H01L21/302 105A ,  G11B5/31 M

Fターム (15件)：

5D033DA08 ,  5D033DA31 ,  5F004AA02 ,  5F004AA04 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB08 ,  5F004DB14 ,  5F004EA05 ,  5F004EA22 ,  5F004EA28

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 薄膜磁気ヘッドの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-298851   出願人：住友金属工業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-092350   出願人：富士通株式会社
• エッチング方法、キャパシタの製造方法、および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-232521   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-213908   出願人：日本電気株式会社