特許
J-GLOBAL ID：200903046638958240
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-093724
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289793
出願日： 2001年03月28日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：
【要約】【課題】キャパシタを有する半導体装置の製造方法に関し、特性の良好な強誘電体キャパシタを形成すること。【解決手段】第1絶縁膜10を半導体基板1の上方に形成する工程と、第1絶縁膜10の上面を平坦化する工程と、第1絶縁膜10を加熱する工程と、第1絶縁膜10上に酸化シリコン膜又は酸化アルミニウム膜よりなる第2絶縁膜12を形成する工程と、第2絶縁膜12上に酸化チタン膜13aを形成する工程と、酸化チタン膜13aの上にプラチナよりなるキャパシタ下部電極15aを形成する工程と、キャパシタ下部電極15a上にキャパシタ誘電体膜16aを形成する工程と、キャパシタ誘電体膜16a上にキャパシタ上部電極17aを形成する工程とを含む。
請求項（抜粋）：
半導体基板の上方に形成され且つ平坦化面を有する第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜の平坦化面上に形成され、前記第1絶縁膜より水素含有率が大きい酸化シリコン膜、又は酸化アルミニウム膜のいずれかよりなる第2絶縁膜を形成する工程と、前記第2絶縁膜上に形成された酸化チタン膜と、前記酸化チタン膜の上に形成されたプラチナよりなるキャパシタ下部電極と、前記キャパシタ下部電極上に形成されたキャパシタ誘電体膜と、前記キャパシタ誘電体膜上に形成されたキャパシタ上部電極とを有することを特徴とする半導体装置。
Fターム (20件)：
5F083FR02
, 5F083FR03
, 5F083GA27
, 5F083JA15
, 5F083JA17
, 5F083JA38
, 5F083JA40
, 5F083JA42
, 5F083JA43
, 5F083JA45
, 5F083JA56
, 5F083MA06
, 5F083MA18
, 5F083MA20
, 5F083PR21
, 5F083PR22
, 5F083PR34
, 5F083PR40
, 5F083PR43
, 5F083PR53
