特許
J-GLOBAL ID：200903046651506986
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-291671
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144085
出願日： 1996年11月01日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：
【要約】【課題】メモリセル以外の制御回路を簡素にすることのできる多値記憶方式のEEPROMを提供することを目的としている。【解決手段】多値記憶方式のEEPROMにおける各ビット線BLに、書き込み動作中に印加される書き込み制御電圧を決める制御データを記憶するデータ記憶回路9を設け、書き込み時にこれらデータ記憶回路に記憶されている制御データに基づいてそれぞれ対応するビット線に書き込み制御電圧を印加し、読み出し時にそれぞれ対応するビット線に上記各データ記憶回路に記憶されている制御データに基づいて選択的に読み出しビット線信号を印加する。そして、書き込みベリファイ時にメモリセルの書き込み状態によって変調された対応するビット線上の読み出しビット線信号の値を検出し、メモリセルの書き込み状態に応じてデータ記憶回路に記憶されている制御データを変更することを特徴としている。
請求項（抜粋）：
各々がn値(n≧3)のデータを記憶可能な複数の不揮発性メモリセル、複数のビット線、及び複数のワード線を含んで構成されるメモリセルアレイと、各々が前記複数のビット線のうちのそれぞれのある1本に対して接続され、各々が前記それぞれのある1本のビット線に書き込み動作中に印加する書き込み制御電圧を決める制御データを記憶する複数のデータ記憶回路とを具備し、さらに前記各データ記憶回路は、前記制御データに基づいてそれぞれ対応するビット線に書き込み制御電圧を印加し、前記制御データに基づいて選択的に読み出しビット線信号を印加し、メモリセルの書き込み状態によって変調された前記それぞれ対応するビット線上の前記読み出しビット線信号の値を検出し、メモリセルの書き込み状態に応じて前記制御データが変更されることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
FI (2件)：
G11C 17/00 611 A
, G11C 17/00 641
