特許
J-GLOBAL ID：200903042231974563

層間絶縁膜のドライエッチング方法

発明者：
森川 泰宏

森川 泰宏 について

, 
鄒 紅コウ

鄒 紅コウ について


出願人/特許権者：
株式会社アルバック

株式会社アルバック について


代理人 (2件)： 東田 潔 ,  山下 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-301477
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072352
出願日： 2003年08月26日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：
【課題】 上面に反射防止膜を形成した層間絶縁膜をドライエッチングする場合に、一回のエッチング処理で反射防止膜及び層間絶縁膜をエッチングでき、高いエッチングレートで層間絶縁膜にダメージを与えないようにする。【解決手段】 エッチングガスとして、直鎖フロロカーボンガスを用い、同じエッチング条件で連続して反射防止膜32と層間絶縁膜31とを一括してエッチングするようにした。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
上面に反射防止膜を形成した比誘電率の低い層間絶縁膜をドライエッチングし、配線用のホール、トレンチを微細加工する層間絶縁膜のドライエッチング方法において、 エッチングガスとして、直鎖フロロカーボンガスを用い、反射防止膜と層間絶縁膜とを同じエッチング条件で連続してエッチングするようにしたことを特徴とする層間絶縁膜のドライエッチング方法。
IPC (1件)：
H01L21/3065
FI (1件)：
H01L21/302 105A
Fターム (14件)：
5F004AA02 ,  5F004BA04 ,  5F004BB18 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DB24 ,  5F004EA22 ,  5F004EA40 ,  5F004EB04
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-357155   出願人：沖電気工業株式会社
  • エッチング装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-305101   出願人：株式会社アルバック
審査官引用 (3件)
引用文献：
審査官引用 (2件)

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